????? ???????? - Railway Automation Forum







kAchegarOFF-Line - Железные дороги.

Меню:


Друзья:

Rambler's Top100

Книги | Электроника

Увеличить обложку

Название: Основы микроэлектроники.

Издание: 2-е., перераб. и доп.

Автор: Ефимов И.Е., Козырь И.Я.

Издательство: «ВЫСШАЯ ШКОЛА»

Год: 1983


УДК: 621.382

ББК: 32.844


Объём книги: 384 стр.

Разрешение: 300 dpi

Формат: DJVU


Скачать (4.09 Мб)

В книге изложены основные направления развития микроэлектроники; рассмотрены физические основы, конструкция, технология, структурные элементы и аспекты проектирования интегральных микросхем (ИМС) и больших интегральных схем (БИС). Во втором издании (первое вышло в 1975 г.) рассмотрены новые технологические процессы, структурные элементы и схемотехнические решения, машинные методы проектирования и изготовления.

Содержание:

Предисловие.

Введение.

Глава 1. Основные положения микроэлектроники
и направления ее развития.

§ 1.1. Этапы миниатюризации и микроминиатюризации
элементов электронной аппаратуры.

§ 1.2. Общая характеристика микроэлектроники.

§ 1.3. История развития микроэлектроники.

§ 1.4. Изделия микроэлектроники и классификация
интегральных микросхем.

§ 1.5. Система обозначений интегральных микросхем.

Глава 2. Физические принципы работы и создания
интегральных микросхем.

§ 2.1. Явления, процессы и методы, используемые
в интегральной микроэлектронике.

§ 2.2. Общая характеристика явлений и процессов,
определяющих функционирование ИМС.

§ 2.3. Базовые физико-химические методы создания
микроэлектронных структур.

Глава 3. Полупроводниковые интегральные микросхемы.

§ 3.1. Типовые конструкции и структура
полупроводниковых ИМС.

§ 3.2. Биполярные транзисторы.

§ 3.3. МДП-транзисторы.

§ 3.4. Диоды.

§ 3.5. Полупроводниковые резисторы.

§ 3.6. Полупроводниковые конденсаторы.

§ 3.7. Технология изготовления биполярных ИМС.

§ 3.8. Технология изготовления МДП-ИМС.

§ 3.9. Сборка и герметизация полупроводниковых ИМС.

§ 3.10. Этапы разработки и проектирования
полупроводниковых ИМС.

Глава 4. Гибридные интегральные микросхемы.

§ 4.1. Конструкция гибридных ИМС.

§ 4.2. Элементы толстопленочных гибридных ИМС.

§ 4.3. Методы получения тонких пленок.

§ 4.4. Подложки для гибридных ИМС.

§ 4.5. Пленочные резисторы.

§ 4.6. Пленочные конденсаторы.

§ 4.7. Индуктивные элементы в пленочных ИМС.

§ 4.8. Пленочные проводники и контактные площадки.

§ 4.9. Межслойная изоляция.

§ 4.10. Методы получения различных конфигураций
пассивных элементов гибридных ИМС.

§ 4.11. Навесные компоненты гибридных ИМС.

§ 4.12. Корпусы для гибридных ИМС.

§ 4.13. Основные принципы разработки и этапы
проектирования гибридных ИМС.

§ 4.14. Исходные данные для проектирования
гибридных ИМС.

§ 4.15. Проектирование топологии и конструкции
гибридных ИМС.

Глава 5. Большие интегральные схемы.

§ 5.1. Общая характеристика и основные параметры БИС.

§ 5.2. Классификация и области применения БИС.

§ 5.3. Элементная база БИС.

§ 5.4. Конструкция и технология изготовления
полупроводниковых БИС.

§ 5.5. Конструкция и технология изготовления
гибридных БИС.

§ 5.6. Особенности и основные этапы
проектирования БИС.

Глава 6. Основы микросхемотехники и интегральные микросхемы для аппаратуры связи.

§ 6.1. Схемотехнические особенности ИМС.

§ 6.2. Основные типы цифровых ИМС
на биполярных транзисторах.

§ 6.3. Схемотехническая реализация основных
логических функций ИМС.

§ 6.4. Микромощные логические ИМС.

§ 6.5. Логические ИМС на МДП-транзисторах.

§ 6.6. Тенденции развития цифровых ИМС.

§ 6.7. Основные типы аналоговых (линейных) ИМС.

§ 6.8. Интегральные микросхемы для аппаратуры связи.

§ 6.9. Микропроцессоры.

§ 6.10. Интегральные микросхемы СВЧ-диапазона.

Главй 7. Качество, надежность и применение интегральных микросхем.

§ 7.1. Основные понятия теории качества.

§ 7.2. Основные понятия теории надежности.

§ 7.3. Методы контроля качества и оценки
надежности ИМС.

§ 7.4. Категории и виды испытаний ИМС.

§ 7.5. Стоимость ИМС и БИС.

§ 7.6. Пути повышения качества и надежности ИМС.

§ 7.7. Основы применения ИМС и БИС.

Глава 8. Функциональная микроэлектроника.

§ 8.1. Основные направления развития
функциональной микроэлектроники.

§ 8.2. Оптоэлектроника.

§ 8.3. Акустоэлектроника.

§ 8.4. Диэлектрическая электроника.

§ 8.5. Хемотроника.

§ 8.6. Биоэлектроника.

§ 8.7. Дальнейшее развитие микроэлектроники.

Литература.

Страница обновлена: 15.08.2010

Copyright © 2004-2010 «_Sandra»

All Rights Reserved

Rambler's Top100

СЦБ на железнодорожном транспорте Форум ПГУПС