Книги | Электроника

|
Название: Основы микроэлектроники.
Издание: 2-е., перераб. и доп.
Автор: Ефимов И.Е., Козырь И.Я.
Издательство: «ВЫСШАЯ ШКОЛА»
Год: 1983
УДК: 621.382
ББК: 32.844
Объём книги: 384 стр.
Разрешение: 300 dpi
Формат: DJVU
Скачать (4.09 Мб)
|
В книге изложены основные направления развития микроэлектроники; рассмотрены физические основы, конструкция, технология, структурные элементы и аспекты проектирования интегральных микросхем (ИМС) и больших интегральных схем (БИС). Во втором издании (первое вышло в 1975 г.) рассмотрены новые технологические процессы, структурные элементы и схемотехнические решения, машинные методы проектирования и изготовления.
Содержание:
Предисловие.
Введение.
Глава 1. Основные положения микроэлектроники и направления ее развития.
§ 1.1. Этапы миниатюризации и микроминиатюризации элементов электронной аппаратуры.
§ 1.2. Общая характеристика микроэлектроники.
§ 1.3. История развития микроэлектроники.
§ 1.4. Изделия микроэлектроники и классификация интегральных микросхем.
§ 1.5. Система обозначений интегральных микросхем.
Глава 2. Физические принципы работы и создания интегральных микросхем.
§ 2.1. Явления, процессы и методы, используемые в интегральной микроэлектронике.
§ 2.2. Общая характеристика явлений и процессов, определяющих функционирование ИМС.
§ 2.3. Базовые физико-химические методы создания микроэлектронных структур.
Глава 3. Полупроводниковые интегральные микросхемы.
§ 3.1. Типовые конструкции и структура полупроводниковых ИМС.
§ 3.2. Биполярные транзисторы.
§ 3.3. МДП-транзисторы.
§ 3.4. Диоды.
§ 3.5. Полупроводниковые резисторы.
§ 3.6. Полупроводниковые конденсаторы.
§ 3.7. Технология изготовления биполярных ИМС.
§ 3.8. Технология изготовления МДП-ИМС.
§ 3.9. Сборка и герметизация полупроводниковых ИМС.
§ 3.10. Этапы разработки и проектирования полупроводниковых ИМС.
Глава 4. Гибридные интегральные микросхемы.
§ 4.1. Конструкция гибридных ИМС.
§ 4.2. Элементы толстопленочных гибридных ИМС.
§ 4.3. Методы получения тонких пленок.
§ 4.4. Подложки для гибридных ИМС.
§ 4.5. Пленочные резисторы.
§ 4.6. Пленочные конденсаторы.
§ 4.7. Индуктивные элементы в пленочных ИМС.
§ 4.8. Пленочные проводники и контактные площадки.
§ 4.9. Межслойная изоляция.
§ 4.10. Методы получения различных конфигураций пассивных элементов гибридных ИМС.
§ 4.11. Навесные компоненты гибридных ИМС.
§ 4.12. Корпусы для гибридных ИМС.
§ 4.13. Основные принципы разработки и этапы проектирования гибридных ИМС.
§ 4.14. Исходные данные для проектирования гибридных ИМС.
§ 4.15. Проектирование топологии и конструкции гибридных ИМС.
Глава 5. Большие интегральные схемы.
§ 5.1. Общая характеристика и основные параметры БИС.
§ 5.2. Классификация и области применения БИС.
§ 5.3. Элементная база БИС.
§ 5.4. Конструкция и технология изготовления полупроводниковых БИС.
§ 5.5. Конструкция и технология изготовления гибридных БИС.
§ 5.6. Особенности и основные этапы проектирования БИС.
Глава 6. Основы микросхемотехники и интегральные микросхемы для аппаратуры связи.
§ 6.1. Схемотехнические особенности ИМС.
§ 6.2. Основные типы цифровых ИМС на биполярных транзисторах.
§ 6.3. Схемотехническая реализация основных логических функций ИМС.
§ 6.4. Микромощные логические ИМС.
§ 6.5. Логические ИМС на МДП-транзисторах.
§ 6.6. Тенденции развития цифровых ИМС.
§ 6.7. Основные типы аналоговых (линейных) ИМС.
§ 6.8. Интегральные микросхемы для аппаратуры связи.
§ 6.9. Микропроцессоры.
§ 6.10. Интегральные микросхемы СВЧ-диапазона.
Главй 7. Качество, надежность и применение интегральных микросхем.
§ 7.1. Основные понятия теории качества.
§ 7.2. Основные понятия теории надежности.
§ 7.3. Методы контроля качества и оценки надежности ИМС.
§ 7.4. Категории и виды испытаний ИМС.
§ 7.5. Стоимость ИМС и БИС.
§ 7.6. Пути повышения качества и надежности ИМС.
§ 7.7. Основы применения ИМС и БИС.
Глава 8. Функциональная микроэлектроника.
§ 8.1. Основные направления развития функциональной микроэлектроники.
§ 8.2. Оптоэлектроника.
§ 8.3. Акустоэлектроника.
§ 8.4. Диэлектрическая электроника.
§ 8.5. Хемотроника.
§ 8.6. Биоэлектроника.
§ 8.7. Дальнейшее развитие микроэлектроники.
Литература.
|